Toshiba a WD chystají 128vrstvé NAND Flash s rychlejším zápisem

Toshiba a Western Digital jsou strategičtí partneři na trhu s paměťmi NAND Flash a drží se v popředí, co se týče dostupných technologií. Už v minulém roce přitom nastoupily paměti s 96 vrstvami buněk, přičemž tehdy šlo ještě o TLC se třemi bity na buňku. Letos už nastupují 96vrstvé paměti se 4 bity na buňku (QLC), ovšem jejich rozšíření může zkomplikovat udávaná nízká výtěžnost. 

 

Paměti s QLC mohou být v podstatě ty samé co paměti s TLC buňkami. Závisí pouze na způsobu jejich využití, však oba typy pamětí mohou být koneckonců využity i jako SLC s jedním bitem na buňku. Však v moderních SSD dobře známe SLC cache, což je jen část hlavní paměti využívaná v SLC režimu pro rychlý zápis, který TLC paměti (natož pak QLC) moc dobře nezvládají. 

 

Pokud se tedy výrobci trošku děsí nízké výtěžnosti QLC pamětí, znamená to, že ty nejsou vyrobeny dostatečně kvalitně tak, aby se daly využít pro bezpečný zápis čtyř bitů do jedné buňky, což znamená nutnost rozeznávat šestnáct úrovní elektronového náboje oproti osmi v dnešních TLC. A možná že právě proto mají být 128vrstvé pamětí BiCS-5 stále typu TLC. 

 

Když srovnáme 96vrstvé QLC a 128vrstvé TLC, pak z hlediska kapacity na stejné ploše vyjdou zcela stejně. Nicméně 96vrstvé QLC mají být už v podstatě realitou prodávanou na trhu, zatímco 128vrstvé TLC se chystají na výrobu přinejlepším v příštím roce a možná až v roce 2021. 

 

 

Důležitá zpráva je, že Toshiba s WD se chtějí zaměřit také na problém s rychlostí zápisu, kterou dnes musí řešit právě obezlička v podobě SLC cache. Chystají se tak 128vrstvé paměti s jistým 4-plane design, což znamená, že paměťový čip je rozdělen na čtyři sekce, ke kterým může být nezávisle přistupováno, což má navýšit zapisovací rychlost na kanál na 132 MB/s, více než dvojnásobek dnešních 96vrstvých pamětí. 

 

Krom toho už také má jít o paměti s designem CuA (Circuitry under Array), což některé firmy začaly nazývat 4D paměťmi. To v tomto případě ušetří asi 15 % prostoru čipu, takže zvýší paměťovou hustotu.