Senior Fellow Intelu předpovídá Mooreovu zákonu světlou budoucnost
13.12.2019, Jan Vítek, aktualita
Intel rozjel novou informační kampaň, v níž se nám snaží ukázat, že se chystá řádně rozjet vývoj nových výrobních procesů, který by měl za deset let vyústit v nástup 1,4nm technologie. Nyní o tom promluvil i Robert Chau.
Intel nedávno umožnil zveřejnit informace o svém desetiletém plánu pro dosažení 1,4 nm, jehož některé cíle byly poté podpořeny i dalšími informacemi od firmy ASML, která jako jediná vyrábí zařízení pro EUVL. Nyní se na svém blogu vyjádřil také Robert Chau (Intel Senior Fellow and Director, Components Research). Ten hlásá "světlou budoucnost pro Mooreův zákon", ovšem co konkrétního může říci?
V kostce jde o to, jak Intel a potažmo jiné firmy mohou stále udržet v platnosti Mooreův zákon, dle nějž se má výkon čipů či počet tranzistorů neustále zvyšovat. Nebudeme už řešit, jak rapidní růst to má být a čeho se má konkrétně týkat, ostatně výkladů je mnoho a nemá cenu se o nich dohadovat. Jde prostě a jednoduše o stabilní a silný růst.
Ten můžeme dle Chaua rozdělit na růst v rámci monolitů a pak díky novým technologiím pouzdření. Co se týče monolitů, půjde především o nové provedení tranzistorů a zvláště pak GAAFET nahrazující dnešní FinFET. GAA jako Gate All Around znamená jednoduše to, že hradlo tranzistoru bude obklopovat už celý kanál, jenž může být ve tvaru drátu (Nanowire) nebo stužky (Nanoribbon) a nadto se mohou takové struktury i vrstvit na sebe.
Je zřejmé, že tyto struktury budou mnohem složitější na výrobu i v porovnání s FinFET, natož pak s klasickými rovinnými tranzistory, ovšem umožnit by to měla právě nově nastupující EUVL - extrémní ultrafialová litografie, díky níž se vypustí či alespoň velice omezí techniky jako multipatterning, které musí být využívány s klasickou DUVL (Deep Ultra Violet Litography).
GAAFET tak prostě a jednoduše mohou značně navýšit počet tranzistorů na dané ploše a zajistit i jejich potřebnou rychlost spínání, a to i s využitím doplňkových materiálů, jako je germanium nebo nitrid galia.
A v ostatních ohledech je to pochopitelně opuštění monolitů, což může vypadat jako vývoj jdoucí proti Mooreovu zákonu. Chau ale píše, rozkouskováním čipů můžeme pro každý z nich využít tu nejvhodnější tranzistorovou logiku a designovou implementaci, což ve výsledku více než vyrovná negativa způsobená rozdělením monolitu do menších čipletů.
V praxi půjde pochopitelně o EMIB jako můstky pro propojování čipů vedle sebe a Foveros pro vrstvení čipů na sebe. Spojením těchto technologií vzniká Co-EMIB s možností napojit i analogové obvody či paměťové čipy do celku, který se ve výsledku chová jako monolit.
Po Co-EMIB má nastoupit již také známá technologie Omni-Directional Interconnect (ODI) znázorněná na posledním obrázku, jejíž výhody budou spočívat především v lépe zpracovaných (silnějších) vertikálních spojích TSV (Through-Silicon Via) vhodných i pro napájení.
Chau nám tak v podstatě ukázal cestu, kterou se Intel nejspíše bude chtít vydat, ale o tom se mluví již po velkou část tohoto roku. Zbývá jen to, aby Intel začal své sliby plnit a uvedl na trh první produkty založené na Foveros. Intel je ale mezitím až na malou skupinu mobilních CPU stále zaseknutý na své 14nm technologii, což bude v řadě oblastí platit i v příštím roce, takže GAAFET, čiplety či ODI je spíše zatím jen hudba budoucnosti. Ale poslouchá se pěkně.
Zdroj: Medium
