reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND

20.11.2017, Jan Vítek, aktualita
Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND
Už několik měsíců jsme neslyšeli nic moc nového o pamětech Z-NAND, odpovědi firmy Samsung na konkurenční 3D XPoint od Intelu a Micronu. Nyní tu máme nové informace i o konkrétním produktu. 
Paměti Samsung Z-NAND byly už dříve označeny za konkurenci pro 3D XPoint, a tak by měly být opravdu rychlé a především musí nabídnout dlouhou výdrž. Samsung má rozhodně prostředky a zkušenosti na to, aby dostal na trh řádnou alternativu pro 3D XPoint a řadu Optane, což je jedině dobře, neboť nechceme, aby právě ty představovaly jedinou novou a samozřejmě autorsky chráněnou technologii, která dokáže zastínit dnes široce využívané NAND Flash. 


Paměti Z-NAND však, jak už jejich název jasně říká, vychází z pamětí NAND Flash a jde o znovuzrozené paměti SLC (Single-Level Cell) zapisující jen jeden bit do jedné paměťové buňky. Ta díky tomu může pracovat rychleji a také může dosáhnout mnohem delší výdrže než buňky jako TLC (tři bity) nebo dokonce QLC (čtyři bity), kde je nutné rozpoznávat až 16 úrovní náboje. 


K tomu se přidávají také moderní kontrolery od Samsungu a výsledkem je třeba uvedený model SZ985 v podobě HHHL karty pro PCI Express 3.0 x4. Ten slibuje sekvenční rychlosti čtení i zápisu shodně 3,2 GB/s a dále pak 750.000 IOPS při náhodném čtení 4kB souborů a zápis mnohem slabších 170.000 IOPS. Zde jsou důležité také latence, a to pod 20 μs při čtení i zápisu a co se týče výdrže, rating uvádí 30 kompletních přepisů 800GB SSD za jeden den po dobu platné záruky. 


Paměti Kapacita R/W IOPS R/W sekvenční Životnost R/W latence
Optane P4800X 3D XPoint 750GB 550K/550H 2,4/2,0 GB/sec 41 PBW 10/10μs
SZ985 SLC NAND 800GB 750K/170K 3,2/3,2 GB/sec 42,7 PBW 12-20/16μs

Pokud to srovnáme se 750 GB Optane P4800X, Samsung nabízí vyšší IOPS při náhodném čtení, a to o 200.000, ovšem Optane má zase mnohem mnohem vyšší IOPS při zápisu, a to 550.000. Samsung je také rychlejší v sekvenčních operacích, neboť P4800X v tomto ohledu nabízí "jen" 2,4 a 2 GB/s a co se týče výdrže, jsou na tom oba produkty velice podobně. 

Z tohoto pohledu to vypadá, že NAND Flash rozhodně nejsou ze hry, ovšem na trhu je zatím jen první generace pamětí 3D XPoint, a lze předpokládat, že ta má mnohem větší potenciál k vývoji než staré paměti Flash. O ceně a nástupu SZ985 se zatím nic nedozvíme.



reklama