První SSD s 3D XPoint dosáhnou propustnosti 6 GB/s na kanál
28.8.2015, Jan Vítek, aktualita
Intel se rozhodl, že nám bude pečlivě dávkovat informace o svých nových pamětech 3D XPoint, které vyvinul společně s firmou Micron. Nyní se již mluví o konkrétních produktech, které mají dosáhnout vysoké datové propustnosti.
Paměti 3D XPoint se mají nejdříve uplatnit v produktech řady Intel Optane, jak jsme se dozvěděli již před řadou dní. Tehdy Intel srovnával paměti NAND Flash s 3D XPoint z hlediska výkonu v IOPS a nyní uvedl i to, že první generace SSD s 3D XPoint nabídne datovou propustnost až 6 GB/s na kanál (mluvíme o 3D XPoint v modulech DIMM). To je na jednu stranu slušná hodnota, a na druhou stranu nejde mluvit o průlomu, však dnešní SSD pro rozhraní PCI Express dokáží nabídnout přes 3 GB/s a Intel přitom sliboval, že 3D XPoint mají oproti NAND Flash potenciál být 1000x rychlejší. Na druhou stranu je řeč o zbrusu nové technologii a první generaci zařízení, která na ní budou založena a záležet bude také na tom, kolik kanálů s propustností oněch 6 GB/s se bude moci kombinovat.
Podívejme se raději na nové obrázky z prezentace z IDF15, na nichž Intel ukazuje novou paměťovou hierarchii a také diagram ukazující zařazení nových 3D XPoint. Na prvním obrázku s pyramidou se ukazuje, že hierarchie zítřka pro úložná zařízení bude obsahovat tři stupně, které se budou lišit výkonem, rychlostí přístupu k datům a také kapacitou. A jako obvykle, nejrychlejší paměti budou mít nejnižší kapacitu, přičemž zcela nahoře hned pod RAM budou SSD s 3D XPoint v podobě modulů DIMM (6 GB/s na kanál) a pak také SSD s podporou NVMe a PCI Express 3.0 x4, což poskytne propustnost až 3,2 GB/s.
Střední stupeň budou okupovat už úložná zařízení s 3D NAND a rovněž s podporou NVMe a PCI Express 3.0 x4, jejichž přístup k datům bude řádově pomalejší než u 3D XPoint SSD. A nakonec tu máme nejnižší stupeň pro nejméně využívaná data (archivovaná), pro něž budou stačit prostá SSD s 3D NAND nebo jen pevné disky s rozhraním SATA nebo SAS.
I z dalšího obrázku se můžeme dozvědět, že pro paměti 3D XPoint se počítá s využitím rozhraní PCI Express i DDR pro dnešní operační paměti. Uplatní se také i tzv. NVDIMM, které na sobě budou kombinovat paměti DRAM a NAND Flash a pak bude procesor přímo komunikovat přes PCIe také s NVMe SSD s NAND Flash. Paměti 3D XPoint tak spočinou mezi moduly operační paměti a úložnými zařízeními s NAND Flash. Budou tak levnější než RAM, ale i pomalejší. Pak tu samozřejmě zůstane i čipová sada (PCH) a její vlastní rozhraní SATA pro pevné disky či NAND Flash. Zajímavé je, že tento diagram nepočítá s tím, že by čipová sada mohla využít rozhraní PCI Express pro připojení úložných zařízení. To nejspíše proto, že rozhraní spojující procesor s čipovou sadou není nejrychlejší.
Produkty Intel Octane se tak v pyramidě zařadí do nejvyššího stupně a nejdříve se na trh dostanou v podobě karet pro PCI Express 3.0 nebo jako moduly pro sloty DDR4 DIMM. A právě tyto moduly by mohly být z hlediska výkonu to nejzajímavější, však paměťové rozhraní procesorů Xeon E5 v4 “Broadwell-EP” (PC4-19200) dokáže poskytnout propustnost 19,2 GB/s, o čemž se PCI Express 3.0 se čtyřmi linkami může jen zdát.
Ozvala se také společnost Micron, která chystá druhou generaci pamětí 3D XPoint a pak také jejich tajemného nástupce označovaného za Memory B. Druhá generace pamětí 3D XPoint má dorazit už v příštím roce a Memory B nejvýše rok poté, ovšem už jsme se nedozvěděli nic o tom, co tyto paměti přinesou. Je možné, že Micron se zaměří především na zvýšení kapacity, však moderní NAND Flash jsou schopny nabídnout kapacitu 256 Gb na čip, kdežto první 3D XPoint jen polovinu. Cestou k tomu je vyšší počet vrstev, stejně jako u pamětí 3D NAND Flash a pak je ve hře také zvyšování výkonu, ale o tom můžeme jen spekulovat.
Zdroj: KitGuru
Podívejme se raději na nové obrázky z prezentace z IDF15, na nichž Intel ukazuje novou paměťovou hierarchii a také diagram ukazující zařazení nových 3D XPoint. Na prvním obrázku s pyramidou se ukazuje, že hierarchie zítřka pro úložná zařízení bude obsahovat tři stupně, které se budou lišit výkonem, rychlostí přístupu k datům a také kapacitou. A jako obvykle, nejrychlejší paměti budou mít nejnižší kapacitu, přičemž zcela nahoře hned pod RAM budou SSD s 3D XPoint v podobě modulů DIMM (6 GB/s na kanál) a pak také SSD s podporou NVMe a PCI Express 3.0 x4, což poskytne propustnost až 3,2 GB/s.
Střední stupeň budou okupovat už úložná zařízení s 3D NAND a rovněž s podporou NVMe a PCI Express 3.0 x4, jejichž přístup k datům bude řádově pomalejší než u 3D XPoint SSD. A nakonec tu máme nejnižší stupeň pro nejméně využívaná data (archivovaná), pro něž budou stačit prostá SSD s 3D NAND nebo jen pevné disky s rozhraním SATA nebo SAS.
I z dalšího obrázku se můžeme dozvědět, že pro paměti 3D XPoint se počítá s využitím rozhraní PCI Express i DDR pro dnešní operační paměti. Uplatní se také i tzv. NVDIMM, které na sobě budou kombinovat paměti DRAM a NAND Flash a pak bude procesor přímo komunikovat přes PCIe také s NVMe SSD s NAND Flash. Paměti 3D XPoint tak spočinou mezi moduly operační paměti a úložnými zařízeními s NAND Flash. Budou tak levnější než RAM, ale i pomalejší. Pak tu samozřejmě zůstane i čipová sada (PCH) a její vlastní rozhraní SATA pro pevné disky či NAND Flash. Zajímavé je, že tento diagram nepočítá s tím, že by čipová sada mohla využít rozhraní PCI Express pro připojení úložných zařízení. To nejspíše proto, že rozhraní spojující procesor s čipovou sadou není nejrychlejší.
Produkty Intel Octane se tak v pyramidě zařadí do nejvyššího stupně a nejdříve se na trh dostanou v podobě karet pro PCI Express 3.0 nebo jako moduly pro sloty DDR4 DIMM. A právě tyto moduly by mohly být z hlediska výkonu to nejzajímavější, však paměťové rozhraní procesorů Xeon E5 v4 “Broadwell-EP” (PC4-19200) dokáže poskytnout propustnost 19,2 GB/s, o čemž se PCI Express 3.0 se čtyřmi linkami může jen zdát.
Ozvala se také společnost Micron, která chystá druhou generaci pamětí 3D XPoint a pak také jejich tajemného nástupce označovaného za Memory B. Druhá generace pamětí 3D XPoint má dorazit už v příštím roce a Memory B nejvýše rok poté, ovšem už jsme se nedozvěděli nic o tom, co tyto paměti přinesou. Je možné, že Micron se zaměří především na zvýšení kapacity, však moderní NAND Flash jsou schopny nabídnout kapacitu 256 Gb na čip, kdežto první 3D XPoint jen polovinu. Cestou k tomu je vyšší počet vrstev, stejně jako u pamětí 3D NAND Flash a pak je ve hře také zvyšování výkonu, ale o tom můžeme jen spekulovat.
Zdroj: KitGuru
