Paměti Hynix HBM slibují revoluci u VGA
2.10.2014, Jan Vítek, aktualita
Známá společnost Hynix produkující také rychlé paměti pro grafické karty vypustila do světa stránky prezentace popisující nový typ pamětí HBM. Ty slibují alespoň menší revoluci ve světě grafických karet, takže jistě stojí za pozornost.
Hynix pojmenoval své nové paměti HBM, což je zkratkou pro High-Bandwidth Memory, a je tedy naprosto jasné, co má být hlavní výhodou těchto pamětí. Ono by to ale v podstatě bylo jasné i tak, neboť u pamětí pro grafické karty ani o nic jiného nejde. Tedy za předpokladu, že takové paměti nabídnou i slušnou kapacitu a snesitelnou spotřebu, přičemž Hynix HBM mají mít velmi nízkou spotřebu a slibují kapacity, které budou stačit i na budoucí rozlišení 5K - 8K.
Co tedy stojí za těmito sliby? V podstatě nic nového pod sluncem, neboť něco podobného využívá Samsung u svých pamětí 3D V-NAND. Hynix plánuje na sebe vrstvit jednotlivé čipy, které budou propojeny pomocí TSV, čili cestiček Through-Silicon Vias, z nichž každá bude schopna přenášet data rychlostí 1 Gbps. To nám dá dohromady 128 GB/s u čtyř 2Gb čipů v jednom 1GB pouzdru a mluvíme přitom o první generaci.
Druhá generace pamětí HBM nabídne 8Gb čipy s dvojnásobnou rychlostí na pin, čili 2 Gbps, což tedy rovněž zdvojnásobí propustnost na 256 GBps. Ve výsledku pak budou v jednom pouzdře použity čtyři nebo osm 8Gb čipů, což nám dá dohromady 4 nebo 8 GB.
Nicméně Hynix je stále ve vývoji této technologie a v této době testuje 256MB čipy, které jsou propojeny v jednu 1GB soustavu, čili jsou na sebe navrstveny čtyři. Již brzy ale má začít testovat čtyři propojené 1GB čipy po nichž už mají následovat první osmivrstvé soustavy. Jejich výhodou by však mělo být "pouze" navýšení kapacity a ne celkové propustnosti, jak ostatně ukazují obrázky z prezentace, kde stejná propustnost 256 GB/s platí pro čtyř i osmivrstvé soustavy.
Jeden z obrázků také ukazuje roadmap, dle níž paměti HBM startují ještě v tomto roce, což vyvolává otázky. Uplatní se snad už u příští generace grafických karet AMD, čili Fiji, nebo to bude někde jinde? To můžeme jen hádat.
Více obrázků z prezentace najdete na serveru Videocardz.com (viz zdroj).
Zdroj: TZ Videocardz
Co tedy stojí za těmito sliby? V podstatě nic nového pod sluncem, neboť něco podobného využívá Samsung u svých pamětí 3D V-NAND. Hynix plánuje na sebe vrstvit jednotlivé čipy, které budou propojeny pomocí TSV, čili cestiček Through-Silicon Vias, z nichž každá bude schopna přenášet data rychlostí 1 Gbps. To nám dá dohromady 128 GB/s u čtyř 2Gb čipů v jednom 1GB pouzdru a mluvíme přitom o první generaci.
Druhá generace pamětí HBM nabídne 8Gb čipy s dvojnásobnou rychlostí na pin, čili 2 Gbps, což tedy rovněž zdvojnásobí propustnost na 256 GBps. Ve výsledku pak budou v jednom pouzdře použity čtyři nebo osm 8Gb čipů, což nám dá dohromady 4 nebo 8 GB.
Nicméně Hynix je stále ve vývoji této technologie a v této době testuje 256MB čipy, které jsou propojeny v jednu 1GB soustavu, čili jsou na sebe navrstveny čtyři. Již brzy ale má začít testovat čtyři propojené 1GB čipy po nichž už mají následovat první osmivrstvé soustavy. Jejich výhodou by však mělo být "pouze" navýšení kapacity a ne celkové propustnosti, jak ostatně ukazují obrázky z prezentace, kde stejná propustnost 256 GB/s platí pro čtyř i osmivrstvé soustavy.
Jeden z obrázků také ukazuje roadmap, dle níž paměti HBM startují ještě v tomto roce, což vyvolává otázky. Uplatní se snad už u příští generace grafických karet AMD, čili Fiji, nebo to bude někde jinde? To můžeme jen hádat.
Více obrázků z prezentace najdete na serveru Videocardz.com (viz zdroj).
Zdroj: TZ Videocardz
